王飞，恒泰柯半导体有限公司董事长兼CEO。
2001年于吉林大学物理学院获学士学位。博士毕业于美国南加州大学物理学专业。恒泰柯专注于功率半导体MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管) 开发设计及生产制造，采用功率技术的最前沿的SGT 技术，并且坚持不间断的研发改进产品，超越现有规格限制、发展最新制程。以创造最低导通阻抗、最小开关损耗、最小封装尺寸、最高效率为使命。公司有250V-30V 各型SGT MOSFET完整产品线，150V-20V 各型常规沟槽P信道 N信道MOSFET 产品线与晶圆销售，恒泰柯不断追求更低的导通阻抗与最低的开关损耗，更高的CP值。除了既有的SGT MOSFET稳定量产以外，新一代的Super Junction/ IGBT/ SiC/ Gan MOSFET 产品也陆续的推出, 并进入量产状态, 恒泰柯也在岗位上持续努力, 全力累积技术、提高产品效率表现, 厚植产品的竞争力。
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