赵建华，女，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师。

1985 、1988 年吉林大学物理系理学学士、硕士学位，1999 年中科院物理所理学博士学位。

1988-1996年燕山大学工作。1999-2000年中科院半导体所博士后，2000-2002年日本东北大学电气通信研究所Hideo Ohno 教授实验室博士后。2002 年9月至今中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室研究员。2015年被聘为中国科学院大学岗位教授。 获2016-2017年度黄昆固体物理与半导体物理奖、2014年度中国电子学会科学技术一等奖、2014年度中科院优秀研究生指导教师奖、2000年度国家技术发明二等奖。享受国务院政府特殊津贴。

科技部重大研究计划项目首席科学家，主持过十余项国家自然科学基金委、科技部和中科院资助的重点、重大项目。现任国际纯粹与应用物理学联合会（IUPAP）磁学专业委员会（C9）委员、中国物理学会磁学专业委员会委员、中科院半导体所学术委员会副主任、北京大学固态量子器件北京市重点实验室学术委员会委员、北京大学磁电功能材料与器件北京市重点实验室学术委员会委员、中科院磁性材料与器件重点实验室学术委员会委员、杭州电子科技大学磁电子中心学术委员会委员、《物理学进展》编委等。曾任英国物理学会期刊《Semiconductor Science and Technology》编委、中国物理学会低温物理专业委员会委员、国际磁学大会（ICM2018美国，ICM2015西班牙）、国际亚太联磁学大会（2016ICAUMS台湾）、IEEE国际磁学大会（INTERMAG2015北京）、磁学与磁性材料国际大会（2011MMM美国）等10余个国际大会组委会委员。

迄今发表文章200余篇，其中Nature 子刊2篇，Phys. Rev. Lett. 2篇，Nano Lett. 8篇，Adv. Mater. 3篇，Appl. Phys. Lett. 30余篇，邀请综述10篇。得到国际同行广泛引用，并被写入专著。APS、ICPS、MRS等国际邀请报告40 余次，国内邀请报告30 余次。培养的研究生7人次获中科院院长奖学金优秀奖、中科院优秀博士学位论文、国家奖学金和美国超导奖等奖励。